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CY7C1061GN30-10ZSXI
CY7C1061GN30 10ZSXI
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- 描述
- CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns，工作电压范围为2.2V至3.6V。
- 商品型号
- CY7C1061GN30-10ZSXI
- 商品编号
- C1353032
- 商品封装
- TSOPII-54
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 30mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
- IS42SM16320E-6BLI
- S29GL256S10DHIV10
- DS1245AB-120IND+
- 71V65603S133BGGI
- IS46DR16128C-3DBLA1
- 71V65603S100BGI
- IS64LPS25636A-166TQLA3
- IS61NLF12836A-7.5TQLI
- 70V25S35PFG
- IS61DDB251236A-250M3L
- 70V3579S6BCI
- 70V3379S4PRFG
- IS61QDPB22M18A-333M3L
- IS49RL36160-107EBL
- 70V05L15JG
- IS49RL18320-107EBL
- 7024L20G
- IS46R16160F-5TLA1
- DS1230AB-120IND+
- IS61QDP2B42M18A-400M3L
- IS49RL36160-125EBLI