IS62WV25616EBLL-45TLI
IS62WV25616EBLL 45TLI
- 描述
- 高速、低功耗,4M位静态随机存取存储器,组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时,器件进入待机模式,此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE#)控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节(UB#)和低字节(LB#)访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mm x 8mm)和44引脚TSOP(II型)封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV25616EBLL-45TLI
- 商品编号
- C1349209
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 22mA | |
| 待机电流 | 10uA |
相似推荐
其他推荐
- IS61WV51216EDBLL-10BLI
- IS61WV10248EDBLL-10BLI
- IS61WV10248EDBLL-10TLI
- IS61WV5128BLL-10BLI
- IS61NLP51236B-200B3LI
- IS61WV25616EDBLL-8BLI
- IS62WV10248EBLL-45BLI
- IS61C256AL-12JLI
- IS64WV6416BLL-15TLA3
- IS61WV1288EEBLL-10HLI
- IS61WV6416EEBLL-10BLI
- IS63WV1024BLL-12TLI
- IS61C1024AL-12TLI
- IS62WV102416DBLL-45TLI
- IS62WV6416BLL-55TLI
- IS61NLP102436B-200TQLI
- IS61NLP102418B-200B3LI
- IS61NLP102418B-200TQLI
- IS61LF102418B-7.5TQLI
- IS61NLP51236B-200TQLI
- IS62WV12816EBLL-45BLI
