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IS62WV25616EBLL-45TLI实物图
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IS62WV25616EBLL-45TLI

IS62WV25616EBLL 45TLI

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描述
高速、低功耗,4M位静态随机存取存储器,组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时,器件进入待机模式,此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE#)控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节(UB#)和低字节(LB#)访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mm x 8mm)和44引脚TSOP(II型)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS62WV25616EBLL-45TLI
商品编号
C1349209
商品封装
TSOPII-44-10.2mm​
包装方式
托盘
商品毛重
2.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量4Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间45ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流22mA
待机电流10uA
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
技术SRAM - 异步
存储器格式SRAM
供应商器件封装44-TSOP II
存储容量4Mb(256K x 16)
写周期时间-字,页45ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间45ns
电压-供电2.2V ~ 3.6V

数据手册PDF

优惠活动

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(135个/托盘,最小起订量 1 个)
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