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IS34ML01G081-BLI
IS34ML01G081 BLI
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- 描述
- 1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS34ML01G081-BLI
- 商品编号
- C1348840
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA（9x11） |
| 存储容量 | 1Gb（128M x 8） |
| 写周期时间-字，页 | 25ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 25ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
优惠活动
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