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AOD4130
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD4130
- 商品编号
- C131408
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AOD4130/AOI4130将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on) 。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。