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AON6236
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- AON6236采用沟槽式MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和反向传输电容Crss组合，功率损耗得以最小化。此外，采用“肖特基式”软恢复体二极管，可很好地控制开关特性
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6236
- 商品编号
- C131413
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 318pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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