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AO3435
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.8V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
AO3435采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.5V的栅极电压下工作。该器件适用于降压转换器应用。