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AOT20S60L
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOT20S60L
- 商品编号
- C131416
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.038nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
AOT20S60、AOB20S60和AOTF20S60采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),并保证了雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。