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SI1869DH-T1-E3
带电平转换功能的负载开关 停产
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- 描述
- Si1869DH 在单个 SC70 - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专门用作负载开关。n 沟道与一个外部电阻配合，可用作电平转换器来驱动 p 沟道负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1869DH-T1-E3
- 商品编号
- C128638
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 1.2A | |
| 工作电压 | 1.8V~20V | |
| 导通电阻 | 132mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si1869DH 在单个 SC70-6 封装中包含一个 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。低导通电阻的 P 沟道 TrenchFET 适用于用作负载开关。N 沟道 MOSFET 通过外部电阻可用作电平转换来驱动 P 沟道负载开关。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可以由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。Si1869DH 可在 1.8 V 至 20 V 的电源线上工作，并能驱动高达 1.2 A 的负载。
应用领域
- 移动设备电平转换器