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10N80L-TF2-T
1个N沟道 耐压:800V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,800V,10A,1.1Ω@5A,10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N80L-TF2-T
- 商品编号
- C127032
- 商品封装
- TO-220F2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
UTC 10N80采用UTC先进的专有平面条纹DMOS技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 1.1 Ω
- 超低栅极电荷(典型值45nC)
- 低反向传输电容(CRSS典型值15pF)
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力,具有高耐用性