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2N80L-TN3-R
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.4A
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- 描述
- N沟道,800V,2A
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N80L-TN3-R
- 商品编号
- C127036
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3Ω@10V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
2N80 是一款采用先进技术的 N 沟道功率 MOSFET，运用了平面条形和 DMOS 技术。该技术可实现极低的导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 2N80 广泛应用于高效开关模式电源。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 1.2A 条件下，RDS(on) < 6.3Ω
- 高开关速度
应用领域
- 高效开关模式电源