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12N10L-TN3-R
12N10L-TN3-R
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 12N10L-TN3-R
- 商品编号
- C131343
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 漏源电压VDS等于100 V
- 漏极电流 ID等于370
- 当栅源电压VGS等于10 V时，导通电阻RDS(on)小于1.3 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- PWM应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理