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UT2955G-AA3-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UT2955G-AA3-R

1个P沟道 耐压:60V 电流:1.7A

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描述
UT2955采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关,以及PWM应用、转换器和电源等领域。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
UT2955G-AA3-R
商品编号
C127043
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.307克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.7A
导通电阻(RDS(on))185mΩ@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.3nC@10V
输入电容(Ciss)492pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)165pF

商品概述

NCE0110AS采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于各种应用。

商品特性

  • RDS(ON)< 170 m Ω(VGS= -10 V,ID = -0.75 A)
  • RDS(ON)< 180 m Ω(VGS= -10 V,ID = -1.5 A)
  • RDS(ON)< 185 m Ω(VGS= -10 V,ID = -2.4 A)
  • 低电容
  • 低栅极电荷
  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 转换器
  • 电源

数据手册PDF