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UT2955G-AA3-R
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.7A
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- 描述
- UT2955采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关，以及PWM应用、转换器和电源等领域。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UT2955G-AA3-R
- 商品编号
- C127043
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
NCE0110AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 10A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 17 mΩ（典型值：14 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ（典型值：15.2 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
- DC/DC初级侧开关
- 电信/服务器
- 同步整流