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15N10L-TN3-R
1个N沟道 耐压:100V 电流:14.7A
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- 描述
- UTC 15N10 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，它采用 UTC 的先进技术，为客户提供最低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。UTC 15N10 适用于高效开关式 DC/DC 转换器、LCD 显示器逆变器和负载开关。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 15N10L-TN3-R
- 商品编号
- C131012
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过优化，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS）为10 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 47 mΩ（典型值），漏极电流（ID） = 29.5 A
- 低栅极电荷（典型值77 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值80 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 等离子电视
- 不间断电源
- 交直流电源
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