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UML2502G-AE3-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UML2502G-AE3-R

1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A

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描述
UML2502采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
UML2502G-AE3-R
商品编号
C127040
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@5V
输入电容(Ciss)740pF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品概述

KIA3414采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通状态漏源电阻(RDS(on))、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品KIA3414为无铅产品(符合ROHS和索尼259规格)。KIA3414是绿色产品订购选项。KIA3414在电气性能上完全相同。

商品特性

  • RDS(ON)< 45 m Ω@VGS=4.5 V
  • RDS(ON) < 80 m Ω @ VGS = 2.5 V
  • 超低栅极电荷(最大12nC)
  • 低反向传输电容(C\textRSS = \text典型值66pF)
  • 快速开关能力
  • 规定了雪崩能量
  • 改善了dv/dt能力
  • SOT - 23

数据手册PDF