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AOD4184L
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- N沟 40V 50A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD4184L
- 商品编号
- C125866
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
AOD4184/L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合高电流负载应用。AOD4184和AOD4184L电气特性相同。-符合RoHS标准 -AOD4184L无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V
- 漏极电流ID = 50A（栅源电压VGS = 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 8mΩ（栅源电压VGS = 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 11mΩ（栅源电压VGS = 4.5V）