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AOU3N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:2.8A
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- 描述
- N沟 500V 2.8A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOU3N50
- 商品编号
- C125873
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 331pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
AOD3N50和AOU3N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻RDS(on)、低输入电容Ciss和低反向传输电容Crss，并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。
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