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AON6884
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
AON6884采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(on)。这是一款通用型器件，适用于各种电源转换应用。