1个P沟道 耐压:30V 电流:18.5A
- 1+: ¥3.12 / 个
- 10+: ¥2.53 / 个
- 30+: ¥2.28 / 个
- 100+: ¥1.97 / 个
- 500+: ¥1.69 / 个
- 1000+: ¥1.61 / 个 (折合1圆盘4830元)
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¥3.12 / 个 |
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¥2.53 / 个 |
30+: |
¥2.28 / 个 |
100+: |
¥1.97 / 个 |
500+: |
¥1.69 / 个 |
1000+: |
¥1.61 / 个 (折合1圆盘4830元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
功率(Pd) | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,17A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 105nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.5nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
配置 | - |