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AO4447A
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- P沟 30V 17A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4447A
- 商品编号
- C125867
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@4.5V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 615pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 815pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 静电放电保护
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 系统/负载开关-电池开关-USB-PD负载开关