温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG6602SVT-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6602SVT-7
- 商品编号
- C110497
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；73mΩ@10V；55mΩ@4.5V；99mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF；350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF；50pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过 AEC-Q101 标准认证,具备高可靠性
应用领域
-背光照明-DC-DC 转换器-电源管理功能