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FZT749TA
PNP 电流:3A 电压:25V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -25V。 高连续电流：IC = -3A。 峰值脉冲电流：ICM = -8A。 低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。 互补NPN类型。 无铅表面处理；符合RoHS标准。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT749TA
- 商品编号
- C110505
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 75@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 160MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |
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