SI2301CDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-GE3
- 商品编号
- C10487
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@2.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤素要求
- 沟道型功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关