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HY1908D
N沟道 耐压:80V 电流:90A
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- 描述
- N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1908D
- 商品编号
- C108891
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.493克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 239pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品特性
- 80V/90A
- RDS(ON) = 7.8 mΩ（典型值），VGS = 10 V
- 雪崩额定
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 逆变器系统的电源管理。