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VBA2310
P沟道,-30V,-13.5A,10mΩ@-10V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适合用于多种电路模块中。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA2310
- 商品编号
- C967456
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V；29.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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