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VBK1230N
N沟道,20V,1.5A,210mΩ@4.5V
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- 描述
- SOT-323；N—Channel沟道,20V；1.5A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBK1230N
- 商品编号
- C967465
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 便携式应用的负载开关