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VBM16036N
N沟道,600V,15A,288mΩ@10V
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,600V；15A；RDS(ON)=288mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM16036N
- 商品编号
- C967478
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.474克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 288mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数 (FOM) R\texton x Q\textg
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 因 Qrr 降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 有雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-电信领域-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机领域-ATX 电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)