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VBL1607V3
N沟道,60V,140A,5mΩ@10V
- 描述
- T0263；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1607V3
- 商品编号
- C967511
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 经过单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 漏极连接至散热片
- P 沟道 MOSFET
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