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VBA2317A

P沟道,-30V,-9A,17mΩ@-10V

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOP8;P—Channel沟道,-30V;-9A;RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
商品型号
VBA2317A
商品编号
C967458
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V;29mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V;25nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

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    (4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个4000个/圆盘

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