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VB1307N
N沟道,30V,5A,47mΩ@10V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率功率控制和开关应用。SOT-23；N—Channel沟道,30V；5A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB1307N
- 商品编号
- C967462
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V；62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器