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L2N7002KDW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2N7002KDW1T1G

2个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 具备ESD保护
商品型号
L2N7002KDW1T1G
商品编号
C967442
商品封装
SC-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)34pF@25V
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3pF

商品特性

~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计-雪崩电压和电流的完整特性表征-改进的直通品质因数

数据手册PDF