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YJQ2012A
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- YJQ2012A-F1-1100HF
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQ2012A
- 商品编号
- C919557
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 777pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（Trench FET）功率MOSFET
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- RDS(ON) < 65 mΩ（VGS = -10 V）
- RDS(ON) < 75 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(ON) < 90 mΩ（VGS = -2.5 V）
应用领域
- 直流-直流转换器-便携式设备的负载开关-电池开关