YJL3139KDW
2个P沟道 耐压:20V 电流:0.65A
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- 描述
- YJL3139KDW-F2-0000HF
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3139KDW
- 商品编号
- C919540
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-高功率和大电流处理能力
商品特性
- 静电放电(ESD)防护高达4.5KV(人体模型HBM)
应用领域
-接口、逻辑开关-负载开关-电源管理
