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YJQ1216A
1个P沟道 耐压:20V 电流:16A
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术 采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQ1216A
- 商品编号
- C919545
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.992nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 272pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 静电放电（ESD）防护高达4.5KV（人体模型HBM）
应用领域
- 接口、逻辑开关-负载开关-电源管理