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2N7002EM3T5G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002EM3T5G

1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
2N7002EM3T5G
商品编号
C907843
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.85V@250uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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    (8000个/圆盘,最小起订量 20 个)
    起订量:20 个8000个/圆盘

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