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NVMFSW6D1N08HT1G实物图
  • NVMFSW6D1N08HT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFSW6D1N08HT1G

1个N沟道 耐压:80V 电流:89A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFSW6D1N08HT1G
商品编号
C900492
商品封装
DFN-5(5.9x4.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.185克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)89A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)10nC@6V
输入电容(Ciss)2.085nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 小尺寸封装(5×6 mm),适用于紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
  • NVMFSW6D1N08H - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)、无铍,符合RoHS标准

应用领域

  • 同步整流
  • 交流-直流和直流-直流电源
  • 交流-直流适配器(USB PD)同步整流
  • 负载开关

数据手册PDF