NTMFS23D9N06HLT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.1A 电流:23A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS23D9N06HLT1G
- 商品编号
- C900267
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.1A；23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.75nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 打印头驱动
- 电机驱动
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