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NSB9435T1G

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描述: 该数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。因为将各个组件集成到一个器件内，因此无需这些组件，可以降低系统成本和板空间。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NSB9435T1G
商品编号: C899980
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.323克(g)

商品参数

集电极-发射极维持电压 - VCEO(sus) = 30 Vdc（最小值），IC = 10 mA
高直流电流增益 - hFE = 125（最小值），IC = 0.8 Adc；hFE = 90（最小值），IC = 3.0 Adc
低集电极-发射极饱和电压 - VCE(sat) = 0.275 Vdc（最大值），IC = 1.2 Adc；VCE(sat) = 0.55 Vdc（最大值），IC = 3.0 Adc
SOT - 223 表面贴装封装
静电放电等级 - 人体模型：1B 类
通过 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
NSV 前缀适用于汽车及其他对产地和控制变更有特殊要求的应用
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	集射极击穿电压(Vceo)	30V