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NCD57001FDWR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCD57001FDWR2G

隔离式大电流IGBT栅极驱动器

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描述
NCD57001F是NCD57001的一个变体,其软关断时间缩短,适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定(UVLO)、退饱和(DESAT)保护以及退饱和时的软关断
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCD57001FDWR2G
商品编号
C899925
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.53克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)7.1A
拉电流(IOH)7.8A
工作电压24V
属性参数值
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)19ns
传播延迟 tpLH60ns
传播延迟 tpHL66ns
特性欠压保护(UVP);短路保护(SCP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)1mA

商品概述

NCD57001F是NCD57001的一个变体,其软关断时间缩短,适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定(UVLO)、退饱和(DESAT)保护以及退饱和时的软关断。NCD57001F在输入侧可兼容5 V和3.3 V信号,在驱动器侧具有较宽的偏置电压范围,包括负电压能力。NCD57001F提供>5 kVrms(UL1577认证)的电流隔离和>1200 V_{iorm}(工作电压)能力。NCD57001F采用宽体SOIC - 16封装,输入和输出之间保证有8 mm的爬电距离,以满足加强型安全绝缘要求。

商品特性

  • 在IGBT米勒平台电压下具有高电流输出(+4 / -6 A)
  • 低输出阻抗,增强IGBT驱动能力
  • 短传播延迟且匹配精确
  • 有源米勒钳位,防止栅极误开启
  • 具有可编程延迟的退饱和(DESAT)保护
  • IGBT短路时典型550 ns软关断
  • 短路时IGBT栅极钳位
  • IGBT栅极有源下拉,严格的欠压锁定(UVLO)阈值,偏置灵活
  • 宽偏置电压范围,包括负VEE2
  • 3.3 V至5 V输入电源电压
  • 5000 V电流隔离(符合UL1577要求)
  • 1200 V工作电压(符合VDE0884 - 10要求)
  • 高瞬态抗扰度
  • 高电磁抗扰度
  • 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车电源
  • 混合动力汽车/电动汽车动力系统
  • 皮带驱动启动发电机(BSG)逆变器
  • 正温度系数(PTC)加热器

数据手册PDF

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