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FAD6263M1X
半桥栅极驱动器
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- 描述
- FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FAD6263M1X
- 商品编号
- C903463
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 工作电压 | 10V~22V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 155ns | |
| 传播延迟 tpHL | 55ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.1V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.6V | |
| 静态电流(Iq) | 355uA |
商品概述
FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可为半桥配置中的功率MOSFET或IGBT提供2个互补输出。 它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器采用单输入工作。
商品特性
- 互补的高端和低端驱动输出
- 具有可调节死区时间的直通保护
- 高电压范围：最高600 V
- dV/dt抗扰度 ±50 V/ns
- 匹配的传播延迟100 ns
- 栅极驱动电源范围为10 V至22 V
- 输出源/灌电流能力3 A / 3 A
- 3.3 V和5 V输入逻辑引脚
- 为信号传输将允许的负桥引脚电压摆幅扩展至 -10 V
- 双通道欠压锁定（UVLO）
- 带锁存故障状态的关断引脚
- 通过AEC - Q100认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车领域
- 电机控制（风扇、泵、压缩机）
- MOSFET和IGBT驱动应用
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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