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NSVDTC114YM3T5G
内置单片偏置电阻网络的数字晶体管
- 描述
- 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVDTC114YM3T5G
- 商品编号
- C896463
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 700mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 0.21 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
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