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NSVDTC123JM3T5G
NPN 50V 100mA
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- 描述
- 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVDTC123JM3T5G
- 商品编号
- C896465
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@5.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V@5.0mA,0.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5.0V | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV@5.0V,2.5V | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ | |
| 电阻比率 | 0.047 |
优惠活动
购买数量
(8000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个8000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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