NSVDTA114EM3T5G
NSVDTA114EM3T5G
- 描述
- 此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVDTA114EM3T5G
- 商品编号
- C896457
- 商品封装
- SOT-723-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35 | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了这些元件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
- NSVDTA114YM3T5G
- NSVDTA123EM3T5G
- NSVDTA123JM3T5G
- NSVDTA143EM3T5G
- NSVDTC113EM3T5G
- NSVDTC114YM3T5G
- NSVDTC123EM3T5G
- NSVDTC123JM3T5G
- NSVDTC143ZM3T5G
- NSVDTC144EM3T5G
- NSVDTC144TM3T5G
- NSVMMBT2222AM3T5G
- NSVMMBT2907AM3T5G
- NSVMMBT5401M3T5G
- NSVMMBT5551M3T5G
- NSVR0170P2T5G
- NSVR0230M2T5G
- NSVR0230P2T5G
- NSVR0240V2T5G
- NSVR0520V2T5G
- NSVR0530P2T5G

