温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSBC144TF3T5G
NSBC144TF3T5G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBC144TF3T5G
- 商品编号
- C896408
- 商品封装
- SOT-1123
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 254mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 输入电阻 | 61.1kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
相似推荐
其他推荐
- NSBC144WDP6T5G
- NSBC144WF3T5G
- NSBC144WPDP6T5G
- NSVBC143ZPDXV6T5G
- NSVDTA113EM3T5G
- NSVDTA114EM3T5G
- NSVDTA114YM3T5G
- NSVDTA123EM3T5G
- NSVDTA123JM3T5G
- NSVDTA143EM3T5G
- NSVDTC113EM3T5G
- NSVDTC114YM3T5G
- NSVDTC123EM3T5G
- NSVDTC123JM3T5G
- NSVDTC143ZM3T5G
- NSVDTC144EM3T5G
- NSVDTC144TM3T5G
- MMUN2111LT3G
- MMUN2113LT3G
- MMUN2114LT3G
- MUN2211T3G