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NTMFS5C456NLT3G

1个N沟道耐压:40V 电流:87A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMFS5C456NLT3G
商品编号: C893881
商品封装: DFN-5(5.9x4.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.185克(g)

商品参数

商品概述

该器件专为锂离子电池组保护电路及其他超便携式应用设计，采用单封装解决方案。它采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺和先进的“小间距”晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺，集成了两个共漏极N沟道MOSFET，可实现双向电流流动。FDZ1416NZ最大限度地减小了印刷电路板（PCB）占用空间和S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）。这种先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使器件兼具出色的热传递特性、超薄封装、低栅极电荷和低S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）。

商品特性

在VGS = 4.5 V、IS1S2 = 1 A时，最大S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）为23 mΩ
在VGS = 4 V、IS1S2 = 1 A时，最大S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）为25 mΩ
在VGS = 3.1 V、IS1S2 = 1 A时，最大S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）为28 mΩ
在VGS = 2.5 V、IS1S2 = 1 A时，最大S1-S2导通电阻（rS1S2(on)）为33 mΩ
仅占用2.2 mm²的PCB面积
超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.35 mm
高功率和电流处理能力
人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >3.2 kV
符合RoHS标准

应用领域

电池管理-负载开关-电池保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	87A
	导通电阻(RDS(on))	3.1mΩ@10V,20A
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	13.5nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.6nF@25V
	反向传输电容(Crss)	21pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)