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NSVMUN5132T1G实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NSVMUN5132T1G

50V 100mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSVMUN5132T1G
商品编号
C893967
商品封装
SC-70-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)202mW
直流电流增益(hFE)15@5.0mA,10V
属性参数值
最小输入电压(VI(on))2.4V
最大输入电压(VI(off))1.2V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻4.7kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

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