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NSVMUN5212DW1T1G
带单片偏置电阻网络的双NPN晶体管，简化电路设计、减少电路板空间和元件数量
- 描述
- 此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVMUN5212DW1T1G
- 商品编号
- C893971
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.9V@5mA,200mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些分立元件。使用 BRT 可以降低系统成本并减少电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的 S 和 NSV 前缀；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合 RoHS 标准