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NLAS5223BLMNR2G实物图
  • NLAS5223BLMNR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NLAS5223BLMNR2G

NLAS5223BLMNR2G

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描述
NLAS5223B 是一款先进的 CMOS 模拟开关,采用亚微米硅门极 CMOS 工艺制造。此器件是一款双路独立单刀双掷 (SPDT) 开关,在 VCC = 3.0 V 下,RON 超低,达到 0.5 Ω。 该零件还可保证先开后合 (BBM) 开关,确保开关绝不会让驱动器短路。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NLAS5223BLMNR2G
商品编号
C893492
商品封装
X-QFN-10(1.4x1.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数2
工作电压1.65V~4.5V
导通时间(ton)50ns
属性参数值
导通电阻(Ron)350mΩ
关闭时间(toff)30ns
工作温度-40℃~+85℃
带宽19MHz

商品概述

NLAS5223B是一款采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件为双独立单刀双掷(SPDT)开关,在VCC = 4.3 V时,具有0.35 Ω的超低导通电阻(RON)。该器件还具备先断后通(BBM)开关特性,确保开关不会使驱动器短路。

商品特性

  • 超低导通电阻,在VCC = 4.3 V时典型值为0.35 Ω
  • NLAS5223B可与2.8 V芯片组接口
  • NLAS5223BL可与1.8 V芯片组接口
  • 单电源供电,电压范围为1.65 - 4.5 V
  • 具备完整的0 - VCC信号处理能力
  • 关断通道隔离度高
  • 低待机电流,小于50 nA
  • 低失真
  • 导通电阻平坦度为0.15 Ω
  • 高连续电流能力,每个开关可达±320 mA
  • 模拟输入端设有大电流钳位二极管,连续电流能力为±100 mA
  • 封装形式:1.4 x 1.8 x 0.75 mm WQFN10无铅封装;1.4 x 1.8 x 0.55 mm UQFN10无铅封装
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 手机音频模块
  • 扬声器和耳机切换
  • 铃声芯片/放大器切换
  • 调制解调器

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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