NLAS5223BLMNR2G
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- 描述
- NLAS5223B 是一款先进的 CMOS 模拟开关,采用亚微米硅门极 CMOS 工艺制造。此器件是一款双路独立单刀双掷 (SPDT) 开关,在 VCC = 3.0 V 下,RON 超低,达到 0.5 Ω。 该零件还可保证先开后合 (BBM) 开关,确保开关绝不会让驱动器短路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NLAS5223BLMNR2G
- 商品编号
- C893492
- 商品封装
- X-QFN-10(1.4x1.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 1.65V~4.5V | |
| 导通时间(ton) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 350mΩ | |
| 关闭时间(toff) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 带宽 | 19MHz |
商品概述
NLAS5223B是一款采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件为双独立单刀双掷(SPDT)开关,在VCC = 4.3 V时,具有0.35 Ω的超低导通电阻(RON)。该器件还具备先断后通(BBM)开关特性,确保开关不会使驱动器短路。
商品特性
- 超低导通电阻,在VCC = 4.3 V时典型值为0.35 Ω
- NLAS5223B可与2.8 V芯片组接口
- NLAS5223BL可与1.8 V芯片组接口
- 单电源供电,电压范围为1.65 - 4.5 V
- 具备完整的0 - VCC信号处理能力
- 关断通道隔离度高
- 低待机电流,小于50 nA
- 低失真
- 导通电阻平坦度为0.15 Ω
- 高连续电流能力,每个开关可达±320 mA
- 模拟输入端设有大电流钳位二极管,连续电流能力为±100 mA
- 封装形式:1.4 x 1.8 x 0.75 mm WQFN10无铅封装;1.4 x 1.8 x 0.55 mm UQFN10无铅封装
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 手机音频模块
- 扬声器和耳机切换
- 铃声芯片/放大器切换
- 调制解调器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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