NLVAS4599DTT1G
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- 描述
- NLAS4599 是一种先进的高速 CMOS 单刀双掷模拟开关,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现高速传播延迟和低导通电阻,同时能够保持低功耗。此开关控制在完整电源范围(从 VCC 到 GND)内变化的模拟和数字电压。该器件设计比传统 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 低很多,基于输入电压的线性也更强。该沟道选择输入兼容标准的 CMOS 输出;带有上拉电阻器,可兼容 LSTTL 输出。沟道选择输入结构在应用 0 - 5.5 V 的电压时提供保护,而无论电源电压如何。此输入结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NLVAS4599DTT1G
- 商品编号
- C893637
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 工作电压 | 2V~5.5V | |
| 导通时间(ton) | 25ns | |
| 导通电阻(Ron) | 35Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 关闭时间(toff) | 15ns | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 导通电容(Con) | 20pF | |
| 带宽 | 200MHz |
商品特性
- 通道选择输入耐压达5.5V
- 快速切换和传播速度
- 先断后合电路
- 低功耗:TA = 25℃时ICC = 2 μA(最大值)
- 通道选择输入提供二极管保护
- 改进的线性度和更低的导通电阻
- 锁存性能超过300 mA
- ESD性能:人体模型>2000 V;机器模型>200 V
- 芯片复杂度:38个FET
- 提供无铅封装
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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