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NLVAS4599DTT1G实物图
  • NLVAS4599DTT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NLVAS4599DTT1G

NLVAS4599DTT1G

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描述
NLAS4599 是一种先进的高速 CMOS 单刀双掷模拟开关,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现高速传播延迟和低导通电阻,同时能够保持低功耗。此开关控制在完整电源范围(从 VCC 到 GND)内变化的模拟和数字电压。该器件设计比传统 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 低很多,基于输入电压的线性也更强。该沟道选择输入兼容标准的 CMOS 输出;带有上拉电阻器,可兼容 LSTTL 输出。沟道选择输入结构在应用 0 - 5.5 V 的电压时提供保护,而无论电源电压如何。此输入结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NLVAS4599DTT1G
商品编号
C893637
商品封装
TSOP-6-1.5mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
工作电压2V~5.5V
导通时间(ton)25ns
导通电阻(Ron)35Ω
属性参数值
关闭时间(toff)15ns
工作温度-55℃~+125℃
导通电容(Con)20pF
带宽200MHz

商品特性

  • 通道选择输入耐压达5.5V
  • 快速切换和传播速度
  • 先断后合电路
  • 低功耗:TA = 25℃时ICC = 2 μA(最大值)
  • 通道选择输入提供二极管保护
  • 改进的线性度和更低的导通电阻
  • 锁存性能超过300 mA
  • ESD性能:人体模型>2000 V;机器模型>200 V
  • 芯片复杂度:38个FET
  • 提供无铅封装

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