1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 1+: ¥4.82 / 个
- 10+: ¥4.3 / 个
- 30+: ¥4.04 / 个
- 100+: ¥3.79 / 个
- 500+: ¥3.63 / 个
1+: |
¥4.82 / 个 |
10+: |
¥4.3 / 个 |
30+: |
¥4.04 / 个 |
100+: |
¥3.79 / 个 |
500+: |
¥3.63 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
功率(Pd) | 83W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@10V,5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 807pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.9pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |