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TPC65R360M
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。多外延超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPC65R360M
- 商品编号
- C883499
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.793克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 807pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
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