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TPB65R600M

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A

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品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPB65R600M
商品编号
C883509
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.149克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))530mΩ@10V,3.5A
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)509pF@100V
反向传输电容(Crss)1.5pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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