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TPB65R600M
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPB65R600M
- 商品编号
- C883509
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
超级结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超级结（SJ）原理设计的。多外延SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热性能好。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 充电器
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