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TPB65R360M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结原理设计。多外延超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高稳健性使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
- 充电器